《科創板日報》29日報道,三星電子周四宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級柵極全能)工藝進行大規模生產,這也是首個使用環柵場效應晶體管(GAAFETs)的節點?!斑@是世界上首次大規模生產的GAA 3納米工藝,將以此提高技術領先地位?!比窃谝环輬蟾嬷袑懙?。
《科創板日報》29日報道,三星電子周四宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級柵極全能)工藝進行大規模生產,這也是首個使用環柵場效應晶體管(GAAFETs)的節點?!斑@是世界上首次大規模生產的GAA 3納米工藝,將以此提高技術領先地位?!比窃谝环輬蟾嬷袑懙?。