此前報道指，臺積電（TSMC）將在2022年下半年量產N3制程節點，并計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝，將擁有更好的性能和功耗表現，量產時間為2023年下半年。此外，還可能推出成本和設計有所差異的N3B等方案。在去年末，臺積電已經在Fab 18中啟動了3nm芯片的試生產。
據DigiTimes報道，臺積電的N3制程節點方案未能順利推進，已不斷進行修正，但良品率等整體效能的提升進度仍低于預期，甚至在某些部分出現困難，需要重新安排，導致蘋果等多家客戶近期下單均以N5制程節點及其衍生的工藝為主，擴大了N4、N4P和N4X等工藝的使用。臺積電N3制程節點專為智能手機和高性能計算（HPC）芯片而設計，在N5制程節點上進一步應用極紫外光刻（EUV）技術，光罩層數將超過20層。臺積電承諾N3工藝相比N5工藝，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。
臺積電總裁魏哲家曾表示，N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構，是為客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在臺積電3nm工藝技術推出的時候，將成為業界最先進的PPA和晶體管技術，N3制程節點將成為臺積電另一個大規模量產且持久的制程節點。早有傳聞指，英特爾和蘋果已率先獲得臺積電N3制程節點的產能。前者計劃將該工藝使用在2023年發布的Meteor Lake上，制造GPU模塊；后者則首先用在2023年新款iPad搭載的芯片上，目前在時間上也非常勉強。
臺積電的3nm計劃推進緩慢，甚至催生備用方案，本是三星追趕的好時機。不過三星在7nm及以下工藝上的研發也一直不順利，使得5nm客戶寥寥無幾，近期4nm工藝因效能問題也備受爭議。雖然三星在3nm制程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，并計劃在2022年上半年量產第一代3nm工藝，不過外界并不看好。畢竟臺積電在N3制程節點只是沿用FinFET晶體管，目前也遭遇了不小的困難，三星想越級使用，只會難上加難。盡管三星報價優惠，估計廠商普遍也不敢冒險使用。三星已在3nm計劃里投下巨資，如果不達預期，或許難以收回成本導致項目虧損。
